Номер детали производителяA2T18S260-12SR3
Производитель / МаркаNXP USA Inc.
Доступное количество201290 Pieces
Цена за единицуQuote by Email ([email protected])
Краткое описаниеAIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Категория продуктаТранзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусLead free / RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Срок поставки1-2 Days
Код даты (D / C)New
Скачать спецификацию A2T18S260-12SR3.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение A2T18S260-12SR3 в течение 24 часов.

номер части
A2T18S260-12SR3
Состояние производства (жизненный цикл)
Contact us
Время выполнения производителя
6-8 weeks
Состояние
New & Unused, Original Sealed
Способ доставки
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Статус детали
Active
Тип транзистора
LDMOS
частота
1.805GHz ~ 1.995GHz
Усиление
18.9dB
Напряжение - испытание
28V
Текущий рейтинг
10µA
Коэффициент шума
-
Текущий - Тест
1.4A
Выходная мощность
257W
Напряжение - Номинальное напряжение
65V
Упаковка / чехол
NI-780S-2L2L
Пакет устройств поставщика
NI-780S-2L2L
Вес
Contact us
заявка
Email for details
Сменная часть
A2T18S260-12SR3

Связанные компоненты сделаны NXP USA Inc.

Связанные ключевые слова "A2T18"

номер части производитель Описание
A2T18H100-25SR3 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 1.81GHZ
A2T18H160-24SR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18H410-24SR6 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18H450W19SR6 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18H455W23NR6 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T18S160W31GSR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18S160W31SR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18S162W31GSR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18S162W31SR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T18S165-12SR3 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T18S260-12SR3 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T18S260W12NR3 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO