JANTXV2N6796 Microsemi Corporation дистрибьютор
| Номер детали производителя | JANTXV2N6796 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Microsemi Corporation |
| Доступное количество | 180830 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 100V 8A |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | JANTXV2N6796.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение JANTXV2N6796 в течение 24 часов.
- номер части
- JANTXV2N6796
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Obsolete
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 100V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 8A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 195 mOhm @ 8A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 28.51nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
-
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 800mW (Ta), 25W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Through Hole
- Пакет устройств поставщика
- TO-205AF (TO-39)
- Упаковка / чехол
- TO-205AF Metal Can
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- JANTXV2N6796
Связанные компоненты сделаны Microsemi Corporation
Связанные ключевые слова "JANT"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| JANT4N49 | Texas Instruments （TI） | JANT4N49 TI CAN6 IC |
| JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 |
| JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB |
| JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 |
| JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER |
| JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB |
| JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 |
| JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 |
| JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA |
| JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA |
| JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA |
| JANTX1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA |