JANTXV2N6796 Microsemi Corporation Distributeur
| Référence fabricant | JANTXV2N6796 |
|---|---|
| Fabricant / marque | Microsemi Corporation |
| quantité disponible | 180830 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | MOSFET N-CH 100V 8A |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | JANTXV2N6796.pdf |
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- Numéro d'article
- JANTXV2N6796
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Obsolete
- FET Type
- N-Channel
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 100V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 8A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 195 mOhm @ 8A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 28.51nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
- FET Caractéristique
-
- Dissipation de puissance (Max)
- 800mW (Ta), 25W (Tc)
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Through Hole
- Package de périphérique fournisseur
- TO-205AF (TO-39)
- Paquet / cas
- TO-205AF Metal Can
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- JANTXV2N6796
Composants connexes fabriqués par Microsemi Corporation
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Mots-clés associés pour "JANT"
| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
| JANT4N49 | Texas Instruments （TI） | JANT4N49 TI CAN6 IC |
| JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 |
| JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB |
| JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 |
| JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER |
| JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB |
| JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 |
| JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 |
| JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA |
| JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA |
| JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA |
| JANTX1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA |