APTML20UM18R010T1AG Microsemi Corporation дистрибьютор
| Номер детали производителя | APTML20UM18R010T1AG |
|---|---|
| Производитель / Марка | Microsemi Corporation |
| Доступное количество | 34640 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 200V 109A SP1 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | APTML20UM18R010T1AG.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение APTML20UM18R010T1AG в течение 24 часов.
- номер части
- APTML20UM18R010T1AG
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Obsolete
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 200V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 109A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 19 mOhm @ 50A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 2.5mA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
-
- Vgs (Макс.)
- ±30V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 9880pF @ 25V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 480W (Tc)
- Рабочая Температура
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Chassis Mount
- Пакет устройств поставщика
- SP1
- Упаковка / чехол
- SP1
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- APTML20UM18R010T1AG
Связанные компоненты сделаны Microsemi Corporation
Связанные ключевые слова "APTML2"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| APTML202UM18R010T3AG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 109A SP3 |
| APTML20UM18R010T1AG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 109A SP1 |