APT6017LFLLG Microsemi Corporation дистрибьютор
| Номер детали производителя | APT6017LFLLG |
|---|---|
| Производитель / Марка | Microsemi Corporation |
| Доступное количество | 67250 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | APT6017LFLLG.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение APT6017LFLLG в течение 24 часов.
- номер части
- APT6017LFLLG
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Obsolete
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 600V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 35A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 170 mOhm @ 17.5A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 5V @ 2.5mA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 100nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±30V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 4500pF @ 25V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 500W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Through Hole
- Пакет устройств поставщика
- TO-264 [L]
- Упаковка / чехол
- TO-264-3, TO-264AA
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- APT6017LFLLG
Связанные компоненты сделаны Microsemi Corporation
.jpg "MXLSMLJ90AE3")
Связанные ключевые слова "APT6"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| APT6017LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 |
| APT6030BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD |
| APT6040BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD |
| APT6040BNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD |
| APT60D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247 |
| APT60D100LCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264 |
| APT60D100SG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 60A D3 |
| APT60D120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247 |
| APT60D120SG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 60A D3 |
| APT60D20BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 60A TO247 |
| APT60D20LCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 200V 60A TO264 |
| APT60D30BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 300V 60A TO247 |