Номер детали производителяEDB4064B4PB-1DIT-F-D TR
Производитель / МаркаMicron Technology Inc.
Доступное количество76370 Pieces
Цена за единицуQuote by Email ([email protected])
Краткое описаниеIC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
Категория продуктаПамять
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусLead free / RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Срок поставки1-2 Days
Код даты (D / C)New
Скачать спецификацию EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR в течение 24 часов.

номер части
EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR
Состояние производства (жизненный цикл)
Contact us
Время выполнения производителя
6-8 weeks
Состояние
New & Unused, Original Sealed
Способ доставки
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Статус детали
Active
Тип памяти
Volatile
Формат памяти
DRAM
Технологии
SDRAM - Mobile LPDDR2
Размер памяти
4Gb (64M x 64)
Частота часов
533MHz
Время цикла записи - слово, страница
-
Время доступа
-
Интерфейс памяти
Parallel
Напряжение - Поставка
1.14 V ~ 1.95 V
Рабочая Температура
-40°C ~ 85°C (TC)
Тип монтажа
-
Упаковка / чехол
-
Пакет устройств поставщика
-
Вес
Contact us
заявка
Email for details
Сменная часть
EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR

Связанные компоненты сделаны Micron Technology Inc.

Связанные ключевые слова "EDB4064"

номер части производитель Описание
EDB4064B3PB-8D-F-D Micron Technology Inc. IC DRAM 4G PARALLEL 216FBGA
EDB4064B3PD-8D-F-D Micron Technology Inc. IC DRAM 4G PARALLEL 240FBGA
EDB4064B3PP-1D-F-D Micron Technology Inc. IC DRAM 4G PARALLEL 240FBGA
EDB4064B4PB-1D-F-D Micron Technology Inc. IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA
EDB4064B4PB-1D-F-R TR Micron Technology Inc. IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA
EDB4064B4PB-1DIT-F-D Micron Technology Inc. IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR Micron Technology Inc. IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
EDB4064B4PB-1DIT-F-R Micron Technology Inc. IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA
EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR Micron Technology Inc. IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA