Номер детали производителяEDB1316BDBH-1DAAT-F-D
Производитель / МаркаMicron Technology Inc.
Доступное количество70850 Pieces
Цена за единицуQuote by Email ([email protected])
Краткое описаниеIC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
Категория продуктаПамять
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусLead free / RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Срок поставки1-2 Days
Код даты (D / C)New
Скачать спецификацию EDB1316BDBH-1DAAT-F-D.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение EDB1316BDBH-1DAAT-F-D в течение 24 часов.

номер части
EDB1316BDBH-1DAAT-F-D
Состояние производства (жизненный цикл)
Contact us
Время выполнения производителя
6-8 weeks
Состояние
New & Unused, Original Sealed
Способ доставки
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Статус детали
Active
Тип памяти
Volatile
Формат памяти
DRAM
Технологии
SDRAM - Mobile LPDDR2
Размер памяти
1Gb (64M x 16)
Частота часов
533MHz
Время цикла записи - слово, страница
-
Время доступа
-
Интерфейс памяти
Parallel
Напряжение - Поставка
1.14 V ~ 1.95 V
Рабочая Температура
-40°C ~ 105°C (TC)
Тип монтажа
Surface Mount
Упаковка / чехол
134-VFBGA
Пакет устройств поставщика
134-VFBGA (10x11.5)
Вес
Contact us
заявка
Email for details
Сменная часть
EDB1316BDBH-1DAAT-F-D

Связанные компоненты сделаны Micron Technology Inc.

Связанные ключевые слова "EDB1316"

номер части производитель Описание
EDB1316BDBH-1DAAT-F-D Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAUT-F-D Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DIT-F-D Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA