Номер детали производителяIXTD3N50P-2J
Производитель / МаркаIXYS
Доступное количество168250 Pieces
Цена за единицуQuote by Email ([email protected])
Краткое описаниеMOSFET N-CH 500
Категория продуктаТранзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусLead free / RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Срок поставки1-2 Days
Код даты (D / C)New
Скачать спецификацию IXTD3N50P-2J.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение IXTD3N50P-2J в течение 24 часов.

номер части
IXTD3N50P-2J
Состояние производства (жизненный цикл)
Contact us
Время выполнения производителя
6-8 weeks
Состояние
New & Unused, Original Sealed
Способ доставки
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Статус детали
Last Time Buy
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)
500V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.5V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
9.3nC @ 10V
Vgs (Макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
409pF @ 25V
Функция FET
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
70W (Tc)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет устройств поставщика
Die
Упаковка / чехол
Die
Вес
Contact us
заявка
Email for details
Сменная часть
IXTD3N50P-2J

Связанные компоненты сделаны IXYS

Связанные ключевые слова "IXTD"

номер части производитель Описание
IXTD1R4N60P 11 IXYS MOSFET N-CH 600V
IXTD2N60P-1J IXYS MOSFET N-CH 600
IXTD3N50P-2J IXYS MOSFET N-CH 500
IXTD3N60P-2J IXYS MOSFET N-CH 600
IXTD4N80P-3J IXYS MOSFET N-CH 800
IXTD5N100A IXYS MOSFET N-CH 1000V 5A DIE