Номер детали производителяSPP02N60S5HKSA1
Производитель / МаркаInfineon Technologies
Доступное количество174770 Pieces
Цена за единицуQuote by Email ([email protected])
Краткое описаниеMOSFET N-CH 600V 1.8A TO-220
Категория продуктаТранзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусLead free / RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Срок поставки1-2 Days
Код даты (D / C)New
Скачать спецификацию SPP02N60S5HKSA1.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение SPP02N60S5HKSA1 в течение 24 часов.

номер части
SPP02N60S5HKSA1
Состояние производства (жизненный цикл)
Contact us
Время выполнения производителя
6-8 weeks
Состояние
New & Unused, Original Sealed
Способ доставки
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Статус детали
Obsolete
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)
600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
1.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.5V @ 80µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
9.5nC @ 10V
Vgs (Макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
240pF @ 25V
Функция FET
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
25W (Tc)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет устройств поставщика
PG-TO220-3-1
Упаковка / чехол
TO-220-3
Вес
Contact us
заявка
Email for details
Сменная часть
SPP02N60S5HKSA1

Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies

Связанные ключевые слова "SPP02"

номер части производитель Описание
SPP02N60C3HKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB
SPP02N60C3XKSA1 Infineon Technologies LOW POWER_LEGACY
SPP02N60CS STMicroelectronics SPP02N60CS STM IC TO-220
SPP02N60S5HKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-220
SPP02N80C3XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 2A TO-220AB