Номер детали производителяSPB02N60C3ATMA1
Производитель / МаркаInfineon Technologies
Доступное количество61080 Pieces
Цена за единицуQuote by Email ([email protected])
Краткое описаниеMOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK
Категория продуктаТранзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусLead free / RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Срок поставки1-2 Days
Код даты (D / C)New
Скачать спецификацию SPB02N60C3ATMA1.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение SPB02N60C3ATMA1 в течение 24 часов.

номер части
SPB02N60C3ATMA1
Состояние производства (жизненный цикл)
Contact us
Время выполнения производителя
6-8 weeks
Состояние
New & Unused, Original Sealed
Способ доставки
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Статус детали
Obsolete
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)
650V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
1.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.9V @ 80µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
12.5nC @ 10V
Vgs (Макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
200pF @ 25V
Функция FET
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
25W (Tc)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет устройств поставщика
PG-TO263-3-2
Упаковка / чехол
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Вес
Contact us
заявка
Email for details
Сменная часть
SPB02N60C3ATMA1

Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies

Связанные ключевые слова "SPB02"

номер части производитель Описание
SPB02N60C3ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK
SPB02N60S5ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263