номер части

SPB02N60C3ATMA1

Состояние производства (жизненный цикл)

Contact us

Время выполнения производителя

6-8 weeks

Состояние

New & Unused, Original Sealed

Способ доставки

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

Статус детали

Obsolete

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

650V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

1.8A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

3 Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 80µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

12.5nC @ 10V

Vgs (Макс.)

±20V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

200pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

25W (Tc)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройств поставщика

PG-TO263-3-2

Упаковка / чехол

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вес

Contact us

заявка

Email for details

Сменная часть

SPB02N60C3ATMA1