IPU80R2K8CEAKMA1 Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | IPU80R2K8CEAKMA1 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Доступное количество | 94900 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 800V TO251-3 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | IPU80R2K8CEAKMA1.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение IPU80R2K8CEAKMA1 в течение 24 часов.
- номер части
- IPU80R2K8CEAKMA1
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Last Time Buy
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 800V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 1.9A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 2.8 Ohm @ 1.1A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3.9V @ 120µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 12nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 290pF @ 100V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 42W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Through Hole
- Пакет устройств поставщика
- PG-TO251-3
- Упаковка / чехол
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- IPU80R2K8CEAKMA1
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
Связанные ключевые слова "IPU80"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| IPU80R1K0CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251 |
| IPU80R1K0CEBKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3 |
| IPU80R1K2P7AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3 |
| IPU80R1K4CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V TO251-3 |
| IPU80R1K4CEBKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3 |
| IPU80R1K4P7AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 4A IPAK |
| IPU80R2K0P7AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3 |
| IPU80R2K4P7AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3 |
| IPU80R2K8CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V TO251-3 |
| IPU80R2K8CEBKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3 |
| IPU80R3K3P7AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3 |
| IPU80R4K5P7AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 1.5A IPAK |