IPG16N10S4L61AATMA1 Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | IPG16N10S4L61AATMA1 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Доступное количество | 24070 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | IPG16N10S4L61AATMA1.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение IPG16N10S4L61AATMA1 в течение 24 часов.
- номер части
- IPG16N10S4L61AATMA1
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип полевого транзистора
- 2 N-Channel (Dual)
- Функция FET
- Logic Level Gate
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 100V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 16A
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 61 mOhm @ 16A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.1V @ 90µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 11nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 845pF @ 25V
- Мощность - макс.
- 29W
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Упаковка / чехол
- 8-PowerVDFN
- Пакет устройств поставщика
- PG-TDSON-8-10
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- IPG16N10S4L61AATMA1
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
Связанные ключевые слова "IPG16N"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| IPG16N10S461AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| IPG16N10S461ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| IPG16N10S4L61AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON |