IPC60N04S406ATMA1 Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | IPC60N04S406ATMA1 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Доступное количество | 165810 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 8TDSON |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | IPC60N04S406ATMA1.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение IPC60N04S406ATMA1 в течение 24 часов.
- номер части
- IPC60N04S406ATMA1
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Obsolete
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 40V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 60A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 6 mOhm @ 30A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 30µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 33nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 2650pF @ 25V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 63W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- PG-TDSON-8-23
- Упаковка / чехол
- 8-PowerVDFN
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- IPC60N04S406ATMA1
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
Связанные ключевые слова "IPC60"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| IPC60N04S406ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TDSON |
| IPC60N04S4L06ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TDSON |
| IPC60R041C6UNSAWNX6SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH BARE DIE |
| IPC60R041C6X1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH BARE DIE |
| IPC60R045CPX1SA4 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH BARE DIE |
| IPC60R070C6UNSAWNX6SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH BARE DIE |
| IPC60R070C6X1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH BARE DIE |
| IPC60R075CPX1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH BARE DIE |
| IPC60R099C6UNSAWNX6SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH BARE DIE |
| IPC60R099C6X1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH BARE DIE |
| IPC60R099CPX1SA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH BARE DIE |
| IPC60R125C6UNSAWNX6SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH BARE DIE |