Номер детали производителяF475R07W1H3B11ABOMA1
Производитель / МаркаInfineon Technologies
Доступное количество125050 Pieces
Цена за единицуQuote by Email ([email protected])
Краткое описаниеIGBT MODULES
Категория продуктаТранзисторы - IGBT - Модули
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусLead free / RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Срок поставки1-2 Days
Код даты (D / C)New
Скачать спецификацию F475R07W1H3B11ABOMA1.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение F475R07W1H3B11ABOMA1 в течение 24 часов.

номер части
F475R07W1H3B11ABOMA1
Состояние производства (жизненный цикл)
Contact us
Время выполнения производителя
6-8 weeks
Состояние
New & Unused, Original Sealed
Способ доставки
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Статус детали
Active
Тип IGBT
-
конфигурация
-
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)
-
Ток - коллектор (Ic) (макс.)
-
Мощность - макс.
-
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic
-
Ток - отсечка коллектора (макс.)
-
Входная емкость (Cies) @ Vce
-
вход
-
Термистор NTC
-
Рабочая Температура
-
Тип монтажа
-
Упаковка / чехол
-
Пакет устройств поставщика
-
Вес
Contact us
заявка
Email for details
Сменная часть
F475R07W1H3B11ABOMA1

Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies

Связанные ключевые слова "F475R0"

номер части производитель Описание
F475R06W1E3BOMA1 Infineon Technologies IGBT MODULE VCES 600V 75A
F475R07W1H3B11ABOMA1 Infineon Technologies IGBT MODULES
F475R07W2H3B51BOMA1 Infineon Technologies MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1
F475R07W2H3B51BPSA1 Infineon Technologies MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1