Номер детали производителяDF75R12W1H4FB11BOMA2
Производитель / МаркаInfineon Technologies
Доступное количество197640 Pieces
Цена за единицуQuote by Email ([email protected])
Краткое описаниеMOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
Категория продуктаТранзисторы - IGBT - Модули
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусLead free / RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Срок поставки1-2 Days
Код даты (D / C)New
Скачать спецификацию DF75R12W1H4FB11BOMA2.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение DF75R12W1H4FB11BOMA2 в течение 24 часов.

номер части
DF75R12W1H4FB11BOMA2
Состояние производства (жизненный цикл)
Contact us
Время выполнения производителя
6-8 weeks
Состояние
New & Unused, Original Sealed
Способ доставки
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Статус детали
Not For New Designs
Тип IGBT
-
конфигурация
Three Phase Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)
1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)
25A
Мощность - макс.
20mW
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic
2.65V @ 15V, 25A
Ток - отсечка коллектора (макс.)
1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce
2nF @ 25V
вход
Standard
Термистор NTC
Yes
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Chassis Mount
Упаковка / чехол
Module
Пакет устройств поставщика
Module
Вес
Contact us
заявка
Email for details
Сменная часть
DF75R12W1H4FB11BOMA2

Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies

Связанные ключевые слова "DF75R1"

номер части производитель Описание
DF75R12W1H4FB11BOMA1 Infineon Technologies MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
DF75R12W1H4FB11BOMA2 Infineon Technologies MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1