Номер детали производителяBSM50GD120DN2E3226BOSA1
Производитель / МаркаInfineon Technologies
Доступное количество31200 Pieces
Цена за единицуQuote by Email ([email protected])
Краткое описаниеIGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
Категория продуктаТранзисторы - IGBT - Модули
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусLead free / RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Срок поставки1-2 Days
Код даты (D / C)New
Скачать спецификацию BSM50GD120DN2E3226BOSA1.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение BSM50GD120DN2E3226BOSA1 в течение 24 часов.

номер части
BSM50GD120DN2E3226BOSA1
Состояние производства (жизненный цикл)
Contact us
Время выполнения производителя
6-8 weeks
Состояние
New & Unused, Original Sealed
Способ доставки
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Статус детали
Not For New Designs
Тип IGBT
-
конфигурация
Three Phase Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)
1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)
50A
Мощность - макс.
350W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic
3V @ 15V, 50A
Ток - отсечка коллектора (макс.)
1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce
3.3nF @ 25V
вход
Standard
Термистор NTC
No
Рабочая Температура
150°C (TJ)
Тип монтажа
Chassis Mount
Упаковка / чехол
Module
Пакет устройств поставщика
Module
Вес
Contact us
заявка
Email for details
Сменная часть
BSM50GD120DN2E3226BOSA1

Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies

Связанные ключевые слова "BSM50GD"

номер части производитель Описание
BSM50GD120DLCBOSA1 Infineon Technologies IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
BSM50GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Infineon Technologies IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
BSM50GD170DLBOSA1 Infineon Technologies IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
BSM50GD60DLCBOSA1 Infineon Technologies IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2