Номер детали производителяBSC057N08NS3GATMA1
Производитель / МаркаInfineon Technologies
Доступное количество141930 Pieces
Цена за единицуQuote by Email ([email protected])
Краткое описаниеMOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
Категория продуктаТранзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусLead free / RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Срок поставки1-2 Days
Код даты (D / C)New
Скачать спецификацию BSC057N08NS3GATMA1.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение BSC057N08NS3GATMA1 в течение 24 часов.

номер части
BSC057N08NS3GATMA1
Состояние производства (жизненный цикл)
Contact us
Время выполнения производителя
6-8 weeks
Состояние
New & Unused, Original Sealed
Способ доставки
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Статус детали
Active
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)
80V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
16A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
5.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 73µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
56nC @ 10V
Vgs (Макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
3900pF @ 40V
Функция FET
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 114W (Tc)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет устройств поставщика
PG-TDSON-8
Упаковка / чехол
8-PowerTDFN
Вес
Contact us
заявка
Email for details
Сменная часть
BSC057N08NS3GATMA1

Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies

Связанные ключевые слова "BSC057"

номер части производитель Описание
BSC057N03LSGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8
BSC057N03MSGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8
BSC057N08NS3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8