BSC046N02KSGAUMA1 Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | BSC046N02KSGAUMA1 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Доступное количество | 162960 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | BSC046N02KSGAUMA1.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение BSC046N02KSGAUMA1 в течение 24 часов.
- номер части
- BSC046N02KSGAUMA1
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 20V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 19A (Ta), 80A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 2.5V, 4.5V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 4.6 mOhm @ 50A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1.2V @ 110µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 27.6nC @ 4.5V
- Vgs (Макс.)
- ±12V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 4100pF @ 10V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 2.8W (Ta), 48W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- PG-TDSON-8
- Упаковка / чехол
- 8-PowerTDFN
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- BSC046N02KSGAUMA1
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
Связанные ключевые слова "BSC04"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| BSC040N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON |
| BSC040N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON |
| BSC042N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8 |
| BSC042N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8 |
| BSC042N03S G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 95A TDSON-8 |
| BSC042N03ST | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8 |
| BSC042NE7NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8 |
| BSC046N02KSGAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 |
| BSC046N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8 |
| BSC047N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8 |
| BSC048N025S G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 89A TDSON-8 |