DMJ70H1D3SI3 Diodes Incorporated дистрибьютор
| Номер детали производителя | DMJ70H1D3SI3 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Diodes Incorporated |
| Доступное количество | 89810 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | DMJ70H1D3SI3.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение DMJ70H1D3SI3 в течение 24 часов.
- номер части
- DMJ70H1D3SI3
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 700V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 4.6A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 13.9nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±30V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 351pF @ 50V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 41W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Through Hole
- Пакет устройств поставщика
- TO-251
- Упаковка / чехол
- TO-251-3 Stub Leads, IPak
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- DMJ70H1D3SI3
Связанные компоненты сделаны Diodes Incorporated
Связанные ключевые слова "DMJ7"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| DMJ70H1D0SV3 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251 |
| DMJ70H1D3SH3 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251 |
| DMJ70H1D3SI3 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251 |
| DMJ70H1D3SJ3 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH TO251 |
| DMJ70H1D4SV3 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251 |
| DMJ70H1D5SV3 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251 |
| DMJ70H600SH3 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251 |
| DMJ70H601SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252 |
| DMJ70H601SV3 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251 |
| DMJ70H900HJ3 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251 |
| DMJ7N70SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 700V 3.9A |