Número da peça do fabricanteSI5513CDC-T1-GE3
Fabricante / MarcaVishay Siliconix
Quantidade disponível205360 Pieces
Preço unitárioQuote by Email ([email protected])
Descrição breveMOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Status sem chumbo / status de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
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Número da peça
SI5513CDC-T1-GE3
Status de produção (ciclo de vida)
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Tempo de espera do fabricante
6-8 weeks
Condição
New & Unused, Original Sealed
Forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Status da Parte
Active
Tipo FET
N and P-Channel
FET Feature
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
4A, 3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4.2nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
285pF @ 10V
Power - Max
3.1W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Caso
8-SMD, Flat Lead
Pacote de dispositivos de fornecedores
1206-8 ChipFET™
Peso
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Aplicação
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Peça de reposição
SI5513CDC-T1-GE3

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Número da peça Fabricante Descrição
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SI5513DC VISHAY Complementary 20-V (D-S) MOSFET
SI5513DC-T1 VISHAY Complementary 20-V (D-S) MOSFET
SI5513DC-T1 TEL:82766440 VISHAY SI5513DC-T1 TEL:82766440 original vishay components
SI5513DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8