Número da peça do fabricanteSI3812DV-T1-GE3
Fabricante / MarcaVishay Siliconix
Quantidade disponível57800 Pieces
Preço unitárioQuote by Email ([email protected])
Descrição breveMOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Status sem chumbo / status de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
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Número da peça
SI3812DV-T1-GE3
Status de produção (ciclo de vida)
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Tempo de espera do fabricante
6-8 weeks
Condição
New & Unused, Original Sealed
Forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Status da Parte
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
FET Feature
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)
830mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores
6-TSOP
Pacote / Caso
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Peso
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Aplicação
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Peça de reposição
SI3812DV-T1-GE3

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