Número da peça do fabricanteRQ3E080BNTB
Fabricante / MarcaRohm Semiconductor
Quantidade disponível155230 Pieces
Preço unitárioQuote by Email ([email protected])
Descrição breveMOSFET N-CH 30V 8A HSMT8
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Status sem chumbo / status de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
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Número da peça
RQ3E080BNTB
Status de produção (ciclo de vida)
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Tempo de espera do fabricante
6-8 weeks
Condição
New & Unused, Original Sealed
Forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Status da Parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15.2 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 15V
FET Feature
-
Dissipação de energia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores
8-HSMT (3.2x3)
Pacote / Caso
8-PowerVDFN
Peso
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Aplicação
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Peça de reposição
RQ3E080BNTB

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