Número da peça do fabricanteRCD075N19TL
Fabricante / MarcaRohm Semiconductor
Quantidade disponível125200 Pieces
Preço unitárioQuote by Email ([email protected])
Descrição breveMOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Status sem chumbo / status de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
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Número da peça
RCD075N19TL
Status de produção (ciclo de vida)
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Tempo de espera do fabricante
6-8 weeks
Condição
New & Unused, Original Sealed
Forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Status da Parte
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
190V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
7.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
336 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 25V
FET Feature
-
Dissipação de energia (máx.)
850mW (Ta), 20W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores
CPT3
Pacote / Caso
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso
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Aplicação
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Peça de reposição
RCD075N19TL

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