Número da peça do fabricanteDTC363EUT106
Fabricante / MarcaRohm Semiconductor
Quantidade disponível189750 Pieces
Preço unitárioQuote by Email ([email protected])
Descrição breveTRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW UMT3
Categoria de ProdutoTransistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-tendencioso
Status sem chumbo / status de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
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Número da peça
DTC363EUT106
Status de produção (ciclo de vida)
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Tempo de espera do fabricante
6-8 weeks
Condição
New & Unused, Original Sealed
Forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Status da Parte
Obsolete
Tipo de transistor
NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
600mA
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.)
20V
Resistor - Base (R1)
6.8 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
6.8 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
80mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
Frequência - Transição
200MHz
Power - Max
200mW
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Caso
SC-70, SOT-323
Pacote de dispositivos de fornecedores
UMT3
Peso
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Aplicação
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Peça de reposição
DTC363EUT106

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