Número da peça

RJK1003DPN-E0#T2

Status de produção (ciclo de vida)

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Tempo de espera do fabricante

6-8 weeks

Condição

New & Unused, Original Sealed

Forma de envio

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

Status da Parte

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

100V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

50A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

59nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4150pF @ 10V

FET Feature

-

Dissipação de energia (máx.)

125W (Tc)

Temperatura de operação

150°C (TJ)

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote de dispositivos de fornecedores

TO-220AB

Pacote / Caso

TO-220-3

Peso

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Aplicação

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Peça de reposição

RJK1003DPN-E0#T2