NSBA113EF3T5G ON Semiconductor Distribuidor
Número da peça do fabricante | NSBA113EF3T5G |
---|---|
Fabricante / Marca | ON Semiconductor |
Quantidade disponível | 43700 Pieces |
Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
Descrição breve | TRANSISTOR PREBIAS DUAL PNP |
Categoria de Produto | Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-tendencioso |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega | 1-2 Days |
Código de Data (D / C) | New |
Download da folha de dados | NSBA113EF3T5G.pdf |
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- Número da peça
- NSBA113EF3T5G
- Status de produção (ciclo de vida)
- Contact us
- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Active
- Tipo de transistor
- PNP - Pre-Biased
- Current - Collector (Ic) (Max)
- 100mA
- Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.)
- 50V
- Resistor - Base (R1)
- 1 kOhms
- Resistor - Emitter Base (R2)
- 1 kOhms
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
- 3 @ 5mA, 10V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
- 250mV @ 5mA, 10mA
- Current - Collector Cutoff (Max)
- 500nA
- Frequência - Transição
-
- Power - Max
- 254mW
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Pacote / Caso
- SOT-1123
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- SOT-1123
- Peso
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- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- NSBA113EF3T5G
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