Número da peça do fabricanteHGTD3N60C3S9A
Fabricante / MarcaON Semiconductor
Quantidade disponível126980 Pieces
Preço unitárioQuote by Email ([email protected])
Descrição breveIGBT 600V 6A 33W TO252AA
Categoria de ProdutoTransistores - IGBTs - Único
Status sem chumbo / status de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
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Número da peça
HGTD3N60C3S9A
Status de produção (ciclo de vida)
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Tempo de espera do fabricante
6-8 weeks
Condição
New & Unused, Original Sealed
Forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Status da Parte
Obsolete
Tipo IGBT
-
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.)
600V
Current - Collector (Ic) (Max)
6A
Corrente - Coletor pulsado (Icm)
24A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 3A
Power - Max
33W
Mudança de energia
85µJ (on), 245µJ (off)
Tipo de entrada
Standard
Carga do portão
10.8nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C
-
Condição de teste
480V, 3A, 82 Ohm, 15V
Tempo de recuperação inversa (TRR)
-
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Caso
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de dispositivos de fornecedores
TO-252AA
Peso
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Aplicação
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Peça de reposição
HGTD3N60C3S9A

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