Référence fabricantHGTD3N60C3S9A
Fabricant / marqueON Semiconductor
quantité disponible126980 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionIGBT 600V 6A 33W TO252AA
catégorie de produitTransistors - IGBT - Simples
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
HGTD3N60C3S9A
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Obsolete
Type d'IGBT
-
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)
600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
6A
Courant - Collecteur pulsé (Icm)
24A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 3A
Puissance - Max
33W
Échange d'énergie
85µJ (on), 245µJ (off)
Type d'entrée
Standard
Charge de porte
10.8nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C
-
Condition de test
480V, 3A, 82 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)
-
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package de périphérique fournisseur
TO-252AA
Poids
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Application
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Pièce de rechange
HGTD3N60C3S9A

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