APTM100H45FT3G Microsemi Corporation Distribuidor
Número da peça do fabricante | APTM100H45FT3G |
---|---|
Fabricante / Marca | Microsemi Corporation |
Quantidade disponível | 191230 Pieces |
Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
Descrição breve | MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3 |
Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega | 1-2 Days |
Código de Data (D / C) | New |
Download da folha de dados | APTM100H45FT3G.pdf |
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- Número da peça
- APTM100H45FT3G
- Status de produção (ciclo de vida)
- Contact us
- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Active
- Tipo FET
- 4 N-Channel (H-Bridge)
- FET Feature
- Standard
- Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
- 1000V (1kV)
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 18A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 540 mOhm @ 9A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 5V @ 2.5mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 154nC @ 10V
- Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 4350pF @ 25V
- Power - Max
- 357W
- Temperatura de operação
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Chassis Mount
- Pacote / Caso
- SP3
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- SP3
- Peso
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- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- APTM100H45FT3G
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