IPB180N06S4H1ATMA2 Infineon Technologies Distribuidor
| Número da peça do fabricante | IPB180N06S4H1ATMA2 |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Infineon Technologies |
| Quantidade disponível | 205040 Pieces |
| Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
| Descrição breve | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 |
| Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Single |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | IPB180N06S4H1ATMA2.pdf |
Por favor preencha o formulário de inquérito abaixo, nós responderemos a cotação para IPB180N06S4H1ATMA2 dentro de 24 horas.
- Número da peça
- IPB180N06S4H1ATMA2
- Status de produção (ciclo de vida)
- Contact us
- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Active
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
- 60V
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 180A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 1.7 mOhm @ 100A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 200µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 270nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 21900pF @ 25V
- FET Feature
-
- Dissipação de energia (máx.)
- 250W (Tc)
- Temperatura de operação
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- PG-TO263-7-3
- Pacote / Caso
- TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
- Peso
- Contact us
- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- IPB180N06S4H1ATMA2
Componentes relacionados feitos por Infineon Technologies
;;3.jpg "AUIRFU4104")
.jpg "IPT65R033G7XTMA1")
Palavras-chave relacionadas para "IPB180"
| Número da peça | Fabricante | Descrição |
|---|---|---|
| IPB180N03S4L01ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3 |
| IPB180N03S4LH0ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3 |
| IPB180N04S302ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 |
| IPB180N04S400ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 |
| IPB180N04S401ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 |
| IPB180N04S4H0ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 |
| IPB180N04S4L01ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 |
| IPB180N04S4LH0ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 |
| IPB180N06S4H1ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 |
| IPB180N06S4H1ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 |
| IPB180N08S402ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 |
| IPB180N10S402ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 |