IPB065N10N3GATMA1 Infineon Technologies Distribuidor
| Número da peça do fabricante | IPB065N10N3GATMA1 |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Infineon Technologies |
| Quantidade disponível | 82020 Pieces |
| Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
| Descrição breve | MOSFET N-CH TO263-3 |
| Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Single |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | IPB065N10N3GATMA1.pdf |
Por favor preencha o formulário de inquérito abaixo, nós responderemos a cotação para IPB065N10N3GATMA1 dentro de 24 horas.
- Número da peça
- IPB065N10N3GATMA1
- Status de produção (ciclo de vida)
- Contact us
- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Active
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
- 100V
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 80A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 6V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 6.5 mOhm @ 80A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3.5V @ 90µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 64nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 4910pF @ 50V
- FET Feature
-
- Dissipação de energia (máx.)
- 150W (Tc)
- Temperatura de operação
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- D²PAK (TO-263AB)
- Pacote / Caso
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Peso
- Contact us
- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- IPB065N10N3GATMA1
Componentes relacionados feitos por Infineon Technologies
.jpg "SAF-XC864L-1FRI 5V AA")
Palavras-chave relacionadas para "IPB06"
| Número da peça | Fabricante | Descrição |
|---|---|---|
| IPB060N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7 |
| IPB065N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3 |
| IPB065N06L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK |
| IPB065N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
| IPB065N15N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 |
| IPB065N15N3GE8187ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 |
| IPB067N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3 |
| IPB06CN10N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 |
| IPB06N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK |
| IPB06N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK |
| IPB06N03LAT | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK |
| IPB06N03LB | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK |