IPB032N10N5ATMA1 Infineon Technologies Distribuidor
| Número da peça do fabricante | IPB032N10N5ATMA1 |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Infineon Technologies |
| Quantidade disponível | 178290 Pieces |
| Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
| Descrição breve | MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7 |
| Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Single |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | IPB032N10N5ATMA1.pdf |
Por favor preencha o formulário de inquérito abaixo, nós responderemos a cotação para IPB032N10N5ATMA1 dentro de 24 horas.
- Número da peça
- IPB032N10N5ATMA1
- Status de produção (ciclo de vida)
- Contact us
- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Active
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
- 100V
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 166A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 6V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 3.2 mOhm @ 83A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3.8V @ 125µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 95nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 6970pF @ 50V
- FET Feature
-
- Dissipação de energia (máx.)
- 187W (Tc)
- Temperatura de operação
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- PG-TO263-7
- Pacote / Caso
- TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Peso
- Contact us
- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- IPB032N10N5ATMA1
Componentes relacionados feitos por Infineon Technologies
Palavras-chave relacionadas para "IPB03"
| Número da peça | Fabricante | Descrição |
|---|---|---|
| IPB030N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7 |
| IPB031N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V TO263-3 |
| IPB031NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 |
| IPB032N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7 |
| IPB033N10N5LFATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V D2PAK-3 |
| IPB034N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3 |
| IPB034N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 |
| IPB034N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7 |
| IPB035N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3 |
| IPB036N12N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7 |
| IPB037N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 |
| IPB038N12N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3 |