BSZ110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies Distribuidor
| Número da peça do fabricante | BSZ110N06NS3GATMA1 |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Infineon Technologies |
| Quantidade disponível | 181160 Pieces |
| Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
| Descrição breve | MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 |
| Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Single |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | BSZ110N06NS3GATMA1.pdf |
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- Número da peça
- BSZ110N06NS3GATMA1
- Status de produção (ciclo de vida)
- Contact us
- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Active
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
- 60V
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 20A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 11 mOhm @ 20A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 23µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 33nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 2700pF @ 30V
- FET Feature
-
- Dissipação de energia (máx.)
- 2.1W (Ta), 50W (Tc)
- Temperatura de operação
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- PG-TSDSON-8
- Pacote / Caso
- 8-PowerVDFN
- Peso
- Contact us
- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- BSZ110N06NS3GATMA1
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| Número da peça | Fabricante | Descrição |
|---|---|---|
| BSZ110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 |
| BSZ110N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON |