EPC2110ENGRT EPC Distribuidor
| Número da peça do fabricante | EPC2110ENGRT |
|---|---|
| Fabricante / Marca | EPC |
| Quantidade disponível | 184700 Pieces |
| Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
| Descrição breve | TRANSISTOR GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE |
| Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | EPC2110ENGRT.pdf |
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- Número da peça
- EPC2110ENGRT
- Status de produção (ciclo de vida)
- Contact us
- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Active
- Tipo FET
- 2 N-Channel (Dual) Common Source
- FET Feature
- GaNFET (Gallium Nitride)
- Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
- 120V
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 3.4A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 60 mOhm @ 4A, 5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.5V @ 700µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 0.8nC @ 5V
- Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 80pF @ 60V
- Power - Max
-
- Temperatura de operação
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Pacote / Caso
- Die
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- Die
- Peso
- Contact us
- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- EPC2110ENGRT
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