Número da peça do fabricanteEPC2016
Fabricante / MarcaEPC
Quantidade disponível179420 Pieces
Preço unitárioQuote by Email ([email protected])
Descrição breveTRANSISTOR GAN 100V 11A BUMPED DIE
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Status sem chumbo / status de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
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Número da peça
EPC2016
Status de produção (ciclo de vida)
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Tempo de espera do fabricante
6-8 weeks
Condição
New & Unused, Original Sealed
Forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Status da Parte
Discontinued at -
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
11A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 11A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.2nC @ 5V
Vgs (Max)
+6V, -5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
520pF @ 50V
FET Feature
-
Dissipação de energia (máx.)
-
Temperatura de operação
-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores
Die
Pacote / Caso
Die
Peso
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Aplicação
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Peça de reposição
EPC2016

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