SI8809EDB-T2-E1 Vishay Siliconix 살수 장치
| 제조업체 부품 번호 | SI8809EDB-T2-E1 |
|---|---|
| 제조업체 / 브랜드 | Vishay Siliconix |
| 사용 가능한 수량 | 91820 Pieces |
| 단가 | Quote by Email ([email protected]) |
| 간단한 설명 | MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT |
| 제품 카테고리 | 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 배달 시간 | 1-2 Days |
| 날짜 코드 (D / C) | New |
| 데이터 시트 다운로드 | SI8809EDB-T2-E1.pdf |
아래의 문의 양식을 작성해주십시오. SI8809EDB-T2-E1 24 시간 이내.
- 부품 번호
- SI8809EDB-T2-E1
- 생산 상태 (수명주기)
- Contact us
- 제조업체 리드 타임
- 6-8 weeks
- 조건
- New & Unused, Original Sealed
- 배송 방식
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 부품 상태
- Last Time Buy
- FET 유형
- P-Channel
- 과학 기술
- MOSFET (Metal Oxide)
- 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
- 20V
- 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
-
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 1.8V, 4.5V
- Rds On (최대) @ Id, Vgs
- 90 mOhm @ 1.5A, 4.5V
- Vgs (th) (최대) @ Id
- 900mV @ 250µA
- 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
- 15nC @ 8V
- Vgs (최대)
- ±8V
- 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
-
- FET 기능
-
- 전력 발산 (최대)
- 500mW (Ta)
- 작동 온도
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 실장 형
- Surface Mount
- 공급 업체 장치 패키지
- 4-Microfoot
- 패키지 / 케이스
- 4-XFBGA
- 무게
- Contact us
- 신청
- Email for details
- 교체 부품
- SI8809EDB-T2-E1
관련 부품 Vishay Siliconix
-1,30mm.jpg "CDR31BX472BKYMAR")
관련 키워드 "SI880"
| 부품 번호 | 제조사 | 기술 |
|---|---|---|
| SI8800EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V MICROFOOT |
| SI8802DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V MICROFOOT |
| SI8805EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V MICROFOOT |
| SI8806DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V MICROFOOT |
| SI8808DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V MICROFOOT |
| SI8809EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT |