제조 업체 트랜지스터 - 양극(BJT) - 어레이
| 부품 번호 | 제조업체 / 브랜드 | 간단한 설명 | 부품 상태 | 트랜지스터 유형 | 전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) | 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic | 전류 - 콜렉터 차단 (최대) | DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 전력 - 최대 | 빈도 - 전환 | 작동 온도 | 실장 형 | 패키지 / 케이스 | 공급 업체 장치 패키지 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Microsemi Corporation | TRANSISTOR 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP | Active | 7 NPN Darlington | 600mA | 50V | 1.9V @ 600µA, 500mA | 900 @ 500mA, 2V | 150°C (TJ) | Through Hole | 16-CDIP | |||||
| Microsemi Corporation | TRANSISTOR 2NPN 60V 0.5A TO78 | Active | 2 NPN (Dual) | 500mA | 60V | 300mV @ 5mA, 50mA | 10µA (ICBO) | 50 @ 10mA, 5V | 2.12W | -65°C ~ 200°C (TJ) | Through Hole | TO-78-6 Metal Can | TO-78-6 | ||
| Microsemi Corporation | TRANSISTOR 2NPN 60V 0.5A TO78 | Active | 2 NPN (Dual) | 500mA | 60V | 300mV @ 5mA, 50mA | 10µA (ICBO) | 50 @ 10mA, 5V | 2.12W | -65°C ~ 200°C (TJ) | Through Hole | TO-78-6 Metal Can | TO-78-6 | ||
| Microsemi Corporation | RH SMALL-SIGNAL BJT | Active | 2 PNP (Dual) | 50mA | 60V | 250mV @ 1mA, 100µA | 10µA (ICBO) | 150 @ 1mA, 5V | 350mW | -65°C ~ 200°C (TJ) | Surface Mount | 6-SMD, No Lead | 6-SMD | ||
| Microsemi Corporation | RH SMALL-SIGNAL BJT | Active | 2 NPN (Dual) | 30mA | 60V | 300mV @ 100µA, 1mA | 10µA (ICBO) | 300 @ 1mA, 5V | 350mW | -65°C ~ 200°C (TJ) | Surface Mount | 6-SMD, No Lead | 6-SMD |