品番 メーカー/ブランド 簡単な説明 部品ステータストランジスタタイプ電流 - コレクタ(Ic)(最大)電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大)Vce飽和(最大)@Ib、Ic電流 - コレクタ遮断(最大)DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce電力 - 最大周波数 - 遷移動作温度取付タイプパッケージ/ケースサプライヤデバイスパッケージ
Microsemi Corporation TRANSISTOR 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP Active7 NPN Darlington600mA50V1.9V @ 600µA, 500mA
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900 @ 500mA, 2V
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150°C (TJ)Through Hole
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16-CDIP
Microsemi Corporation TRANSISTOR 2NPN 60V 0.5A TO78 Active2 NPN (Dual)500mA60V300mV @ 5mA, 50mA10µA (ICBO)50 @ 10mA, 5V2.12W
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-65°C ~ 200°C (TJ)Through HoleTO-78-6 Metal CanTO-78-6
Microsemi Corporation TRANSISTOR 2NPN 60V 0.5A TO78 Active2 NPN (Dual)500mA60V300mV @ 5mA, 50mA10µA (ICBO)50 @ 10mA, 5V2.12W
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-65°C ~ 200°C (TJ)Through HoleTO-78-6 Metal CanTO-78-6
Microsemi Corporation RH SMALL-SIGNAL BJT Active2 PNP (Dual)50mA60V250mV @ 1mA, 100µA10µA (ICBO)150 @ 1mA, 5V350mW
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-65°C ~ 200°C (TJ)Surface Mount6-SMD, No Lead6-SMD
Microsemi Corporation RH SMALL-SIGNAL BJT Active2 NPN (Dual)30mA60V300mV @ 100µA, 1mA10µA (ICBO)300 @ 1mA, 5V350mW
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-65°C ~ 200°C (TJ)Surface Mount6-SMD, No Lead6-SMD
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