IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies 살수 장치
| 제조업체 부품 번호 | IPD122N10N3GATMA1 |
|---|---|
| 제조업체 / 브랜드 | Infineon Technologies |
| 사용 가능한 수량 | 63200 Pieces |
| 단가 | Quote by Email ([email protected]) |
| 간단한 설명 | MOSFET N-CH 100V 59A |
| 제품 카테고리 | 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 배달 시간 | 1-2 Days |
| 날짜 코드 (D / C) | New |
| 데이터 시트 다운로드 | IPD122N10N3GATMA1.pdf |
아래의 문의 양식을 작성해주십시오. IPD122N10N3GATMA1 24 시간 이내.
- 부품 번호
- IPD122N10N3GATMA1
- 생산 상태 (수명주기)
- Contact us
- 제조업체 리드 타임
- 6-8 weeks
- 조건
- New & Unused, Original Sealed
- 배송 방식
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 부품 상태
- Active
- FET 유형
- N-Channel
- 과학 기술
- MOSFET (Metal Oxide)
- 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
- 100V
- 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
- 59A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 6V, 10V
- Rds On (최대) @ Id, Vgs
- 12.2 mOhm @ 46A, 10V
- Vgs (th) (최대) @ Id
- 3.5V @ 46µA
- 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
- 35nC @ 10V
- Vgs (최대)
- ±20V
- 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
- 2500pF @ 50V
- FET 기능
-
- 전력 발산 (최대)
- 94W (Tc)
- 작동 온도
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- 실장 형
- Surface Mount
- 공급 업체 장치 패키지
- PG-TO252-3
- 패키지 / 케이스
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 무게
- Contact us
- 신청
- Email for details
- 교체 부품
- IPD122N10N3GATMA1
관련 부품 Infineon Technologies
%20HEXFET%20Series%208-SMD%204%20Leads.JPG "PVA2352NSPBF")
관련 키워드 "IPD12"
| 부품 번호 | 제조사 | 기술 |
|---|---|---|
| IPD122N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 59A |
| IPD122N10N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3 |
| IPD127N06LGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO-252 |
| IPD12CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3 |
| IPD12CN10NGBUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3 |
| IPD12CNE8N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3 |
| IPD12N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO-252 |