제조업체 부품 번호IPD068N10N3GATMA1
제조업체 / 브랜드Infineon Technologies
사용 가능한 수량54020 Pieces
단가Quote by Email ([email protected])
간단한 설명MOSFET N-CH 100V 90A
제품 카테고리트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
무연 여부 / RoHS 준수 여부Lead free / RoHS Compliant
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
배달 시간1-2 Days
날짜 코드 (D / C)New
데이터 시트 다운로드 IPD068N10N3GATMA1.pdf

아래의 문의 양식을 작성해주십시오. IPD068N10N3GATMA1 24 시간 이내.

부품 번호
IPD068N10N3GATMA1
생산 상태 (수명주기)
Contact us
제조업체 리드 타임
6-8 weeks
조건
New & Unused, Original Sealed
배송 방식
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs
6.8 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id
3.5V @ 90µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
68nC @ 10V
Vgs (최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4910pF @ 50V
FET 기능
-
전력 발산 (최대)
150W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지
PG-TO252-3
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
무게
Contact us
신청
Email for details
교체 부품
IPD068N10N3GATMA1

관련 부품 Infineon Technologies

관련 키워드 "IPD06"

부품 번호 제조사 기술
IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
IPD060N03LGBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
IPD068N10N3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 90A
IPD068N10N3GBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
IPD068P03L3GBTMA1 Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
IPD06N03LA G Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
IPD06N03LB G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO-252