製造業者識別番号W988D2FBJX6E
メーカー/ブランドWinbond Electronics
利用可能な数量149390 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
製品カテゴリメモリ
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード W988D2FBJX6E.pdf

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品番
W988D2FBJX6E
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
メモリの種類
Volatile
メモリフォーマット
DRAM
技術
SDRAM - Mobile LPSDR
メモリー容量
256Mb (8M x 32)
クロック周波数
166MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
15ns
アクセス時間
5.4ns
メモリインターフェイス
Parallel
電圧 - 供給
1.7 V ~ 1.95 V
動作温度
-25°C ~ 85°C (TC)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
90-TFBGA
サプライヤデバイスパッケージ
90-VFBGA (8x13)
重量
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応用
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交換部品
W988D2FBJX6E

によって作られた関連部品 Winbond Electronics

関連キーワード "W988"

品番 メーカー 説明
W988D2FBJX6E Winbond Electronics IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
W988D2FBJX6E TR Winbond Electronics IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
W988D2FBJX6I Winbond Electronics IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
W988D2FBJX6I TR Winbond Electronics IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
W988D2FBJX7E Winbond Electronics IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
W988D2FBJX7E TR Winbond Electronics IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
W988D6FBGX6E Winbond Electronics IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA
W988D6FBGX6E TR Winbond Electronics IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA
W988D6FBGX6I Winbond Electronics IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA
W988D6FBGX6I TR Winbond Electronics IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA
W988D6FBGX7E Winbond Electronics IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA
W988D6FBGX7E TR Winbond Electronics IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA