製造業者識別番号W987D2HBJX6E TR
メーカー/ブランドWinbond Electronics
利用可能な数量118170 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
製品カテゴリメモリ
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード W987D2HBJX6E TR.pdf

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品番
W987D2HBJX6E TR
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Not For New Designs
メモリの種類
Volatile
メモリフォーマット
DRAM
技術
SDRAM - Mobile LPSDR
メモリー容量
128Mb (4M x 32)
クロック周波数
166MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
15ns
アクセス時間
5.4ns
メモリインターフェイス
Parallel
電圧 - 供給
1.7 V ~ 1.95 V
動作温度
-25°C ~ 85°C (TC)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
90-TFBGA
サプライヤデバイスパッケージ
90-VFBGA (8x13)
重量
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応用
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交換部品
W987D2HBJX6E TR

によって作られた関連部品 Winbond Electronics

関連キーワード "W987D"

品番 メーカー 説明
W987D2HBJX6E Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
W987D2HBJX6E TR Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
W987D2HBJX6I Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
W987D2HBJX6I TR Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
W987D2HBJX7E Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
W987D2HBJX7E TR Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
W987D6HBGX6E Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
W987D6HBGX6E TR Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
W987D6HBGX6I Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
W987D6HBGX6I TR Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
W987D6HBGX7E Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
W987D6HBGX7E TR Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA