製造業者識別番号W947D6HBHX6E
メーカー/ブランドWinbond Electronics
利用可能な数量168580 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
製品カテゴリメモリ
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード W947D6HBHX6E.pdf

下記のお問い合わせフォームに記入してください、私たちはあなたに見積もりを返信します W947D6HBHX6E 24時間以内に。

品番
W947D6HBHX6E
生産状況(ライフサイクル)
Contact us
メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
メモリの種類
Volatile
メモリフォーマット
DRAM
技術
SDRAM - Mobile LPDDR
メモリー容量
128Mb (8M x 16)
クロック周波数
166MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
15ns
アクセス時間
5ns
メモリインターフェイス
Parallel
電圧 - 供給
1.7 V ~ 1.95 V
動作温度
-25°C ~ 85°C (TC)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
60-TFBGA
サプライヤデバイスパッケージ
60-VFBGA (8x9)
重量
Contact us
応用
Email for details
交換部品
W947D6HBHX6E

によって作られた関連部品 Winbond Electronics

関連キーワード "W947"

品番 メーカー 説明
W947D2HBJX5E Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
W947D2HBJX5E TR Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
W947D2HBJX5I Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
W947D2HBJX5I TR Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
W947D2HBJX6E Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
W947D2HBJX6E TR Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
W947D6HBHX5E Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
W947D6HBHX5E TR Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
W947D6HBHX5I Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
W947D6HBHX5I TR Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
W947D6HBHX6E Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
W947D6HBHX6E TR Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA