製造業者識別番号VS-ENQ030L120S
メーカー/ブランドVishay Semiconductor Diodes Division
利用可能な数量191130 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B
製品カテゴリトランジスタ - IGBT - モジュール
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード VS-ENQ030L120S.pdf

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品番
VS-ENQ030L120S
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
IGBTタイプ
Trench
構成
Three Level Inverter
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大)
1200V
電流 - コレクタ(Ic)(最大)
61A
電力 - 最大
216W
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic
2.52V @ 15V, 30A
電流 - コレクタ遮断(最大)
230µA
入力容量(Cies)@ Vce
3.34nF @ 30V
入力
Standard
NTCサーミスタ
Yes
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ/ケース
EMIPAK-1B
サプライヤデバイスパッケージ
EMIPAK-1B
重量
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応用
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交換部品
VS-ENQ030L120S

によって作られた関連部品 Vishay Semiconductor Diodes Division

関連キーワード "VS-E"

品番 メーカー 説明
VS-E4PH3006L-N3 Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
VS-E4PH3006LHN3 Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
VS-E4PH6006L-N3 Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD
VS-E4PH6006LHN3 Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD
VS-E4PU3006L-N3 Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
VS-E4PU3006LHN3 Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
VS-E4PU6006L-N3 Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD
VS-E4PU6006LHN3 Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD
VS-E4TU2006FP-N3 Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GEN PURP 600V 20A TO220-2
VS-E4TU2006TFP-N3 Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GEN PURP 600V 20A TO220-2
VS-EBU15006-F4 Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GP 600V 150A POWERTAB
VS-EBU15006HF4 Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GP 600V 150A POWERTAB