VS-ENQ030L120S Vishay Semiconductor Diodes Division Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | VS-ENQ030L120S |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Cantidad disponible | 191130 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B |
| categoria de producto | Transistores - IGBT - Módulos |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | VS-ENQ030L120S.pdf |
Por favor complete el siguiente formulario de consulta, le responderemos la cotización de VS-ENQ030L120S en 24 horas.
- Número de pieza
- VS-ENQ030L120S
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Active
- Tipo de IGBT
- Trench
- Configuración
- Three Level Inverter
- Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)
- 1200V
- Current - Collector (Ic) (Max)
- 61A
- Potencia - Max
- 216W
- Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
- 2.52V @ 15V, 30A
- Corriente - corte de colector (máximo)
- 230µA
- Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
- 3.34nF @ 30V
- Entrada
- Standard
- Termistor NTC
- Yes
- Temperatura de funcionamiento
- 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Chassis Mount
- Paquete / caja
- EMIPAK-1B
- Paquete de dispositivo del proveedor
- EMIPAK-1B
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- VS-ENQ030L120S
Componentes relacionados hechos por Vishay Semiconductor Diodes Division
-
-
-
-
-
-
-
-
-
VISHAYEdgeboard Connectors, Dual Readout, 0.100" [2.54mm] C-C, Standard and Right Angle Terminals -
-1,30mm.jpg "CDR31BX272BKWSAR")
Palabras clave relacionadas para "VS-E"
| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
|---|---|---|
| VS-E4PH3006L-N3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD |
| VS-E4PH3006LHN3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD |
| VS-E4PH6006L-N3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD |
| VS-E4PH6006LHN3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD |
| VS-E4PU3006L-N3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD |
| VS-E4PU3006LHN3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD |
| VS-E4PU6006L-N3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD |
| VS-E4PU6006LHN3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD |
| VS-E4TU2006FP-N3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 20A TO220-2 |
| VS-E4TU2006TFP-N3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 20A TO220-2 |
| VS-EBU15006-F4 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GP 600V 150A POWERTAB |
| VS-EBU15006HF4 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GP 600V 150A POWERTAB |