SIS892DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 配給業者
| 製造業者識別番号 | SIS892DN-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Vishay Siliconix |
| 利用可能な数量 | 185540 Pieces |
| 単価 | Quote by Email ([email protected]) |
| 簡単な説明 | MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | SIS892DN-T1-GE3.pdf |
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- 品番
- SIS892DN-T1-GE3
- 生産状況（ライフサイクル）
- Contact us
- メーカーリードタイム
- 6-8 weeks
- 調子
- New & Unused, Original Sealed
- 発送方法
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 部品ステータス
- Active
- FETタイプ
- N-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧（Vdss）
- 100V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 30A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On（Max）@ Id、Vgs
- 29 mOhm @ 10A, 10V
- Vgs（th）（Max）@ Id
- 3V @ 250µA
- ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs
- 21.5nC @ 10V
- Vgs（最大）
- ±20V
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 611pF @ 50V
- FET機能
-
- 消費電力（最大）
- 3.7W (Ta), 52W (Tc)
- 動作温度
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- Surface Mount
- サプライヤデバイスパッケージ
- PowerPAK® 1212-8
- パッケージ/ケース
- PowerPAK® 1212-8
- 重量
- Contact us
- 応用
- Email for details
- 交換部品
- SIS892DN-T1-GE3
によって作られた関連部品 Vishay Siliconix
関連キーワード "SIS89"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| SIS890DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 |
| SIS892ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212 |
| SIS892DN | VISHAY | SIS892DN original vishay components |
| SIS892DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK |
| SIS894DN-T1-GE3 | VISHAY | SIS894DN-T1-GE3 original vishay components |