製造業者識別番号SIS892DN-T1-GE3
メーカー/ブランドVishay Siliconix
利用可能な数量185540 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード SIS892DN-T1-GE3.pdf

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品番
SIS892DN-T1-GE3
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
29 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
3V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
21.5nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
611pF @ 50V
FET機能
-
消費電力(最大)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース
PowerPAK® 1212-8
重量
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応用
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交換部品
SIS892DN-T1-GE3

によって作られた関連部品 Vishay Siliconix

関連キーワード "SIS89"

品番 メーカー 説明
SIS890DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8
SIS892ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212
SIS892DN VISHAY SIS892DN original vishay components
SIS892DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK
SIS894DN-T1-GE3 VISHAY SIS894DN-T1-GE3 original vishay components