SIS612EDNT-T1-GE3 Vishay Siliconix 配給業者
製造業者識別番号 | SIS612EDNT-T1-GE3 |
---|---|
メーカー/ブランド | Vishay Siliconix |
利用可能な数量 | 56540 Pieces |
単価 | Quote by Email ([email protected]) |
簡単な説明 | MOSFET N-CH 20V 50A SMT |
製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
耐湿性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
納期 | 1-2 Days |
日付コード(D / C) | New |
データシートダウンロード | SIS612EDNT-T1-GE3.pdf |
下記のお問い合わせフォームに記入してください、私たちはあなたに見積もりを返信します SIS612EDNT-T1-GE3 24時間以内に。
- 品番
- SIS612EDNT-T1-GE3
- 生産状況(ライフサイクル)
- Contact us
- メーカーリードタイム
- 6-8 weeks
- 調子
- New & Unused, Original Sealed
- 発送方法
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 部品ステータス
- Active
- FETタイプ
- N-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
- 20V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
- 50A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 2.5V, 4.5V
- Rds On(Max)@ Id、Vgs
- 3.9 mOhm @ 14A, 4.5V
- Vgs(th)(Max)@ Id
- 1.2V @ 1mA
- ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
- 70nC @ 10V
- Vgs(最大)
- ±12V
- 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
- 2060pF @ 10V
- FET機能
-
- 消費電力(最大)
- 3.7W (Ta), 52W (Tc)
- 動作温度
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- Surface Mount
- サプライヤデバイスパッケージ
- PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
- パッケージ/ケース
- PowerPAK® 1212-8S
- 重量
- Contact us
- 応用
- Email for details
- 交換部品
- SIS612EDNT-T1-GE3
によって作られた関連部品 Vishay Siliconix
関連キーワード "SIS61"
品番 | メーカー | 説明 |
---|---|---|
SIS612EDNT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 50A SMT |