製造業者識別番号SIRA14DP-T1-GE3
メーカー/ブランドVishay Siliconix
利用可能な数量217820 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード SIRA14DP-T1-GE3.pdf

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品番
SIRA14DP-T1-GE3
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
58A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
5.1 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
2.2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
29nC @ 10V
Vgs(最大)
+20V, -16V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
1450pF @ 15V
FET機能
-
消費電力(最大)
3.6W (Ta), 31.2W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース
PowerPAK® SO-8
重量
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応用
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交換部品
SIRA14DP-T1-GE3

によって作られた関連部品 Vishay Siliconix

関連キーワード "SIRA1"

品番 メーカー 説明
SIRA10BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 30V
SIRA10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
SIRA12BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 30V
SIRA12DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
SIRA14DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8
SIRA16DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8
SIRA18ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 30.6A POWERPAKSO
SIRA18DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
SIRA18DP-T1-RE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 33A POWERPAKSO-8