SIHU2N80E-GE3 Vishay Siliconix 配給業者
製造業者識別番号 | SIHU2N80E-GE3 |
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メーカー/ブランド | Vishay Siliconix |
利用可能な数量 | 106130 Pieces |
単価 | Quote by Email ([email protected]) |
簡単な説明 | MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK |
製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
耐湿性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
納期 | 1-2 Days |
日付コード(D / C) | New |
データシートダウンロード | SIHU2N80E-GE3.pdf |
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- 品番
- SIHU2N80E-GE3
- 生産状況(ライフサイクル)
- Contact us
- メーカーリードタイム
- 6-8 weeks
- 調子
- New & Unused, Original Sealed
- 発送方法
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 部品ステータス
- Active
- FETタイプ
- N-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
- 800V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
- 2.8A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On(Max)@ Id、Vgs
- 2.75 Ohm @ 1A, 10V
- Vgs(th)(Max)@ Id
- 4V @ 250µA
- ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
- 19.6nC @ 10V
- Vgs(最大)
- ±30V
- 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
- 315pF @ 100V
- FET機能
-
- 消費電力(最大)
- 62.5W (Tc)
- 動作温度
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- Through Hole
- サプライヤデバイスパッケージ
- IPAK (TO-251)
- パッケージ/ケース
- TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
- 重量
- Contact us
- 応用
- Email for details
- 交換部品
- SIHU2N80E-GE3
によって作られた関連部品 Vishay Siliconix
関連キーワード "SIHU"
品番 | メーカー | 説明 |
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SIHU2N80E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK |
SIHU3N50D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK |
SIHU3N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK |
SIHU3N50DA-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK |
SIHU4N80E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 800V TO-251 |
SIHU5N50D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK |
SIHU5N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK |
SIHU6N62E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 620V 6A TO-251 |
SIHU6N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 6A IPAK |
SIHU6N80E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 800V TO-251 |
SIHU7N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 7A TO-251 |
SIHU7N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 7A TO-251 |