SIHB33N60ET1-GE3 Vishay Siliconix 配給業者
| 製造業者識別番号 | SIHB33N60ET1-GE3 |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Vishay Siliconix |
| 利用可能な数量 | 216090 Pieces |
| 単価 | Quote by Email ([email protected]) |
| 簡単な説明 | MOSFET N-CH 600V 33A TO263 |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | SIHB33N60ET1-GE3.pdf |
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- 品番
- SIHB33N60ET1-GE3
- 生産状況（ライフサイクル）
- Contact us
- メーカーリードタイム
- 6-8 weeks
- 調子
- New & Unused, Original Sealed
- 発送方法
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 部品ステータス
- Active
- FETタイプ
- N-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧（Vdss）
- 600V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 33A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On（Max）@ Id、Vgs
- 99 mOhm @ 16.5A, 10V
- Vgs（th）（Max）@ Id
- 4V @ 250µA
- ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs
- 150nC @ 10V
- Vgs（最大）
- ±30V
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 3508pF @ 100V
- FET機能
-
- 消費電力（最大）
- 278W (Tc)
- 動作温度
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- Surface Mount
- サプライヤデバイスパッケージ
- TO-263 (D²Pak)
- パッケージ/ケース
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 重量
- Contact us
- 応用
- Email for details
- 交換部品
- SIHB33N60ET1-GE3
によって作られた関連部品 Vishay Siliconix
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VISHAYLow Profile 3mm DC/DC Buck Converter 0.8V to 4.5V, 3A with 380W/in3 Power Density Efficiency up to 95% -
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関連キーワード "SIHB3"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| SIHB30N60AEL-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 600V D2PAK |
| SiHB30N60E | VISHAY | SiHB30N60E original vishay components |
| SIHB30N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK |
| SIHB30N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK |
| SIHB33N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 33A TO-263 |
| SIHB33N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 33A TO-263 |
| SIHB33N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 33A TO263 |
| SIHB33N60ET5-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 33A TO263 |
| SIHB35N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263 |